人才源自知識，而知識的獲得跟廣泛的'閲讀積累是密不可分的。古人有書中自有顏如玉之説。杜甫所提倡的讀書破萬卷, 下筆如有神等，無不強調了多讀書廣集益的好處。這篇間接帶隙半導體(indirectbandgapsemiconductor)物理知識大全，希望可以加強你的基礎。
間接帶隙半導體（indirectbandgapsemiconductor）
間接帶隙半導體(indirectbandgapsemiconductor)
指Ge、Si和部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，價帶頂位於K空間原點，而導帶底並不在K空間的原點。因此，間接帶隙半導體中電子不僅吸收光子還與晶格交換能量，發生非直接躍遷。伴隨發射或吸收適當的聲子，電子的波矢K可以改變。GaP是間接帶隙半導體，其發光也是間接躍遷產生的。但如果將GaP和GaAs混合製成GaAs1-xPx晶體，則可調節x(0
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