在過去的40多年，半導體工業的發展突破了一個又一個看似不可能跨越的瓶頸，神奇地遵循著摩爾定律，如今的半導體科技已經達到了幾乎不可能為之的地步。而這一切都得益於生產技術的不斷進步，可以預見伴隨著處理器的發展，生產技術這種發展趨勢仍將持續下去。在小編眼裡，Inetl、AMD之間的處理器頻率/效能的競爭，也伴隨著各自生產技術的競爭。
一、英特爾
現在我們先看一下英特爾的生產技術。今天這家公司所採用的主流生產技術是0.13微米制程(電晶體門長為60奈米)，主要藉助於2489埃波長的氪/氟紫外線(1埃=0.1奈米，不過晶片核心關鍵部分採用1930埃波長的氪/氟紫外線)的蝕刻技術來完成的。蝕刻也稱為光刻，其主要是指利用一定波長的紫外透過掩膜後照射在矽晶元上，將掩膜上的電路影象完整地複製到矽晶元上從而形成所需要的電路圖形的過程。
掩膜其實可以看作是CPU核心電路圖的微縮“底片”，廠商事前先將一幅有著非常複雜設計模型的原圖縮小成極細微的蝕刻掩膜。蝕刻中最關鍵的地方就是此紫外線的波長，波長越短的紫外線干擾和衍射現象就越不明顯，電晶體就可以實現越小的線寬。
目前在CPU製造中主要是採用2489埃波長的氪/氟紫外線，主要應用於0.18微米和0.13微米制程中，而目前英特爾是最新的0.09微米制程則採用了波長更短的1930埃的氬/氟紫外線。因此當你聽見Pentium4採用0.13微米制程時，這意味著指Pentium4的電晶體尺寸最小可以做成0.13微米那麼大，就是說這個加工廠在晶元上所能蝕刻的最小電晶體尺寸是0.13微米。
你將通常看見“蝕刻尺寸”和“電晶體尺寸”這兩個術語是可以交換使用的，因為在一塊積體電路上的最重要的特性就是電晶體。蝕刻尺寸越小，那麼單個電晶體通道(也稱電晶體間的物理門長)就越小，從而可以騰出更多的空間來容納更多的電晶體。
我們現在仍不能說英特爾充分掌握300mm矽晶元生產技術(注：300mm就是矽晶元尺寸，即在半導體生產過程中矽晶元使用的直徑值)。你可能這樣想像，矽晶元尺寸越大越好，這樣每塊晶元能生產更多的晶片。然而，矽晶元有一個特性來限制製造商隨意增加矽晶元的尺寸，那就是在晶元生產過程中，離晶元中心越遠就越容易出現壞點。因此從矽晶元中心向外擴充套件，壞點數是呈上升趨勢。
半導體生產商們也總是致力於在儘量大的晶元上控制壞點的數量，比如8086CPU製造時最初所使用的晶元尺寸是50mm，而現在英特爾已經開始使用300mm尺寸矽晶元生產工廠生產新一代處理器。不過，英特爾目前其大多數工廠仍以然以200mm的矽晶元為主，而300mm矽晶元生產線主要用於0.09微米晶片之上。
面對如此多生產線，如果對所有裝置重新升級改造，這意味著將需要花費很多費用和時間。因為一套特定的矽晶元生產裝置所能生產的矽晶元尺寸是固定，因為對原裝置進行改造來生產新尺寸的矽晶元而花費資金是相當驚人的，這些費用幾乎可以建造一個新的生產工廠。這樣我們就無法隨心所欲地增大晶元尺寸。
不過採用300mm矽晶元有很顯明的優點，可以降低生產成本。根據英特爾資料來看，相對於200mm晶元，晶片的生產量提高了2.25-2.5倍;而對於總體晶片產量而言，300mm晶元廠比200mm的高出了1.6-2.2倍，而兩者生產裝置的維護費用相差無幾。這樣一來，如果採用300mm矽晶元生產線，晶片的平均成本將下降30%。
儘管如此，仍然有一些關鍵因素是與矽晶元尺寸大小無關的。目前處理器上，普遍採用六層的陰極真空噴射導體(sputteredconductors)，而它們都是由銅製成的。好像是從90年代早期開始，鋁就逐漸被放棄了。還有就是Intel的最新處理器使用的也還是FC-PGA封裝。在使用了0.09微米技術後，我們將在今後看到一些改變，不過不會那麼明顯。Intel宣佈他們將保持目前3/4的產品不變(即在300mm矽晶元上採用0.13微米技術)。
電晶體的結構也將有所改變。不過不是在數量上—電晶體門寬將從此前的60奈米被縮小到50奈米，因為門洩漏已經成為採用0.13製程的處理器的發展障礙。(附註：CPU製造過程中電晶體本身存在的漏電問題。目前存在著兩種洩漏電流：首先是門洩漏，這是電子的一種自發運動，由負極的矽底板通過管道流向正極的門;其次是通過電晶體通道的矽底板進行的電子自發從負極流向正極的運動，這也被稱為亞閾洩漏。
這兩種洩漏電流都需要提高門電壓以及驅動電流來進行補償，這對CPU的能量消耗以及發熱量都有負面的影響。)除此之外，其它部分將沒有任何改變，他們直接取決於電晶體門寬的大小，而這也間接決定電晶體的速度和尺寸。為此，英特爾已經開始在它的0.09微米生產線上引入了應變矽技術(Strainedsilicon)和新的Low-k電介質。
應變矽屬於一種超薄的氧化物。該層氧化物達到了1.2奈米厚度的極限它僅有通道的1/45，上面提到的2.3奈米極限值，不過應變矽的作用和目前使用的SiO2剛好相反。SIO2它是作為電子的遮蔽出現的，在其下的通道則是電子由發射端到接受端的路徑，電流越高，電子運動就越容易，速度也越快。
通道一般是用矽製成的，而如果使用應變矽代替普通的矽來製造電晶體通道的話，格子裡的原子將被分散在較遠的距離、可以將原子拉長，那麼電子在通過稀疏的原子格時遇到的阻抗就大大下降。Intel宣稱利用這種技術只需將Si原子拉長1%，就可以提高10~20%的電流速度，而成本只增加了2%。
此外在0.09微米制程背後還有一項技術值得我們留意的，那就是七層金屬底板製造技術，這可以在生產上億個電晶體的處理器時提供更高的靈活性，象Prescott。目前CPU中整合的電晶體數目已經數以億計，廠商為了能在有限的CPU核心空間中整合更多的電晶體往往使用一種三維的堆疊結構，在0.13微米制程時代已經有廠商使用了7層佈線結構。Intel在這場競賽中已經是個落後者。到了0.09微米時代，Intel才剛剛採用7層佈線結構，同一時間IBM已經宣佈將會全面轉入8層佈線結構。
電晶體尺寸的縮小，意味著在相同空間的情況下，核心可以容納更多的電晶體。因此用於連線各部分的金屬電路的重要性也開始凸現，在CPU中金屬電路的傳導能力甚至決定了CPU所能提供的最高速度。在0.09微米制程中，Intel將使用碳矽混合物取代目前的SiOF，從而提高了18%的互連效率。而且利用0.09微米技術，Intel已經可以將一個6個電晶體的SRAM單元做在了1平方微米的面積中。
這樣一個52Mbit的10×11mm晶片就可以包含3.3億個電晶體，是Pentium4處理器的7倍。因此，即將Prescott處理器的L2快取達到8MB，其核心面積也僅只有4×4mm。而且採用理更先進的生產工藝可以降低單電晶體的功耗，增加處理器的頻率提升潛力。
這就是目前的英特爾,那麼未來英特爾還將有什麼值得我們期待的呢?首先,英特爾會最大限度地利用現有技術來榨乾矽電晶體的最後一點油水。英特爾把它稱為Terahertz電晶體(Terahertz=1000GHz)。儘管利用目前的技術基英特爾可以生產出15奈米電晶體，但擁有如此電晶體的晶片的耗電量和熱量是相當驚人的，而且如何解決門洩漏也是一大難題。因此如果不對目前技術進行改進的話，Terahertz電晶體是不可能投入到實際應用中來。
首先Terahertz電晶體要求使用不同的材料，因為他們決定電晶體的基本的特徵。二氧化矽做為門和通道之間的絕緣層已經不適合，而需要用到Intel稱為高k門電介質(HighKgateDielectric)的材料。這種材料對電子洩漏的阻隔效果是SiO2的10000倍。第二關鍵是採用DST(depletedsubstratetransistor)的技術，這是英特爾為解決亞閾洩漏的問題所研發的技術。
Intel一直對SOI技術抱著懷疑的態度，認為使用完全耗盡的通道沒有任何好處，過小電晶體通道寬度會大大增加製造難度，同時也因為發射端和接受端的距離減小會急劇提高外接電晶體的阻抗。這個DST技術通過一些改動來消除SOI技術的缺陷。這樣即使通道真的非常的短，利用DST技術也做了完全的貧化處理，完全在控制之下。驅動電流可以立即在門下通過，並不會電離在絕緣層下通道的'任何部分。
另外，這樣也可以表現出虛擬通道增長的效果，從而體現出浮點電晶體的特性。不過DST技術也帶來一個問題，那就是會增加外接電晶體的阻抗，所以Intel不會讓通道的長度影響到DST電晶體上的漏極和接受端的長度。Intel通過降低關狀態電壓有效的將產品工作電壓降到了1.0V以下，並表示可以在2010年達到0.6V。
利用高k門電介質和DST技術，使英特爾生產Terahertz電晶體成為可能，可以生產出大小為32奈米(電晶體門寬為15奈米,比流行感冒病毒還要小3倍)，工作電壓為0.75V電壓和頻率為1THz(1000GHz)的電晶體。但是英特爾在電晶體領域的創新技術並不僅僅只有這些，英特爾還提出了新一代電晶體架構—三門電晶體。
傳統的電晶體架構已經在微電子學使用了將近35年：經典的電晶體包括1個可以控制的電極和在它下面的電流順序通過的另外兩個電極。就這樣，電晶體架構呈現出一種二維的狀態。
不過因為集成了眾多的電晶體，同時還有著多重的門和通道，因此在微電子學領域，處理器被定義為一種三維架構。三門電晶體就是在單個電晶體內整合三個通道。
三門電晶體就是在單個電晶體內整合三個通道。從微觀上看，三門電晶體的門(gate)和發射器(emitter)和收集器被設定在了普通晶圓的表面，並且他們之間相互交叉。這樣就構成了一種有趣的結構：門電子束的截面是一個矩形，頂端和兩側都是門電極，這樣一來，三門電晶體就像是反轉的傳統電晶體樹立在了晶圓上。
傳統的電晶體架構呈現是一種二維的狀態，包括1個可以控制的電極和在它下面的電流順序通過的另外兩個電極。普通電晶體只在頂端有一個門電極，也就需要更多的時間在通道上切換充電狀態以改變電晶體的開光狀態，同時也需要更高的電壓。
而通過三門電晶體技術，理論上只需要有幾束相同的電波我們就夠通過使用極限的電壓開啟電晶體，幾乎同時門會被出現在所有電波上的電流所阻斷。所以通過電晶體的總共電流等於每個交叉點的電流的和。假設我們有6個輸出，其中三個發射器，三個接收器，那我們可以得到與普通電晶體相同的電流，但相同情況下所需要輸入的電壓量卻要低3倍。
或者相同的電壓可以驅動3倍於以前的電流，總體效率將提高20%，這便是三門電晶體的魅力所在。而且三門電晶體的高效性降低了對通道長度的要求，可以大大降低對生產技術的要求。不過這項技術目前還停留在實驗室階段，還沒有在Prescott上應用，有望在2010年前開始實際應用。
當然，製造這樣小的電晶體當然需要更為先進的蝕刻技術來支援。目前英特爾仍在使用舊的248奈米裝置來製造0.09微米的晶片，當然有些關鍵部位是由193奈米裝置完成的(大約佔20%)。在完成了向193奈米裝置的過渡之後，Intel就可以輕鬆一下了。這些裝置可以一直用到65奈米電晶體晶片的生產。
在此之後，EUV(ExtremeUltraviolet，極端遠紫外光)光刻技術將開始發揮。EUV與傳統的紫外線蝕刻技術是一樣的，都是將鐳射通過掩膜，把掩膜上的電路圖轉移動晶圓之上，不過EUV裝置使用的是13.4奈米波長的鐳射，採用部分波長極短的電磁頻譜，因此能實現更小的蝕刻尺寸。Intel希望在2005年開始使用EUV技術，那個時候他們也將開始0.045微米制程的晶片生產了。
然而，在克服以上問題後，另一個問題又出現了：晶片封裝。如果沒有通過封裝就無法對核心進行保護，就不能提供合適的電壓和及時將核心的熱量散發掉，晶片也不能穩定工作，晶片的效能也得不到完全發揮。針對這個問題，目前英特爾已經找到了解決方案：BBUL封裝(BumplessBuild-UpLayer，無凸塊增層)，這是一種很有前景的封裝技術。
目前採用的FC-PGA封裝技術，微處理器核心與封裝材料必須先分別製造的，然後通過微細錫球(tinysolderballs，由微細錫球組成的“凸點”成為封裝和晶片之間電流和機械的連通路徑)作為媒介焊接在一起，並從互連層部分引出訊號傳輸針腳，然後再在外部封裝的PCB板上進行佈線處理，這樣是一個非常複雜、細緻的工作流程。
隨著微處理器執行速度指數級別的提高，晶片封裝中對凸點的材質、數目和密度的要求越來越高，而且採用這種封裝的處理器核心矽晶片所產生的訊號必須通過一個相對長的過程(F/C焊點、核心層和互連層)才能夠傳遞到外部封裝的針腳上、傳遞至電腦的其他部分上，寄生電感較大，因此大大限制了生產更高頻率的CPU。
相比之下，BBUL封裝的顯得更為先進。BBUL封裝的關鍵在於晶片直接放入封裝中，從而把組成一個處理器(如Pentium4)的6—7個金屬層減少大約3層，使處理器的厚度達到只有1mm。這樣處理器的高度被大大降低，封裝也輕了不少，並可以有效控制生產成本。Intel公司聲稱，利用這項新技術基本上可以把一個封裝包看作是圍繞著矽核“生長”起來的，避免了損害晶片效率的焊接過程以及影響矽核效能的溶化步驟。
而且所有的金屬互連層都位於底部，處於晶片和針腳之間，這裡不再需要有機物，這樣資料的必經之路縮短了，使得系統更加穩定，新的封裝技術會幫助提高晶片的整體運算速度和效能。BBUL技術還有一個明顯的優點：可以將處理器的寄生電感降低至少30%，這樣可以大大降低處理器能耗、有利於提升主頻速度。此外，BBUL封裝技術還能在同一封裝中支援多個處理器，因此伺服器的處理器可以在一個封裝中有2個核心，從而比獨立封裝的雙處理器獲得更高的運算速度。
與現有的封裝技術相比，BBUL儘管有諸多的優點，但它要真正進入CPU封裝領域尚待時日，因為以目前的製造技術實現起來仍有一定的難度。Intel計劃在2005-2006年開始在商業上採用。
學識谷
